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DOUBLE HETEROSTRUCTURE GA0.47IN0.53AS MESFETS WITH SUB-MICRON GATES
被引：26
作者：
BARNARD, J
OHNO, H
WOOD, CEC
EASTMAN, LF
机构：
来源：
ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1980年
/
1卷
/
09期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1980.25277
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：174 / 176
页数：3
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