A POSSIBLE MECHANISM FOR 1/F NOISE GENERATION IN SEMICONDUCTOR FILAMENTS

被引：43

作者：

BESS, L

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1953年 / 91卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.91.1569

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1569 / 1569

页数：1

相关论文

共 3 条

[1]

COTTRELL AH, 1948, THEORETICAL STRUCTUR, P190

[2] A THEORY OF CONTACT NOISE IN SEMICONDUCTORS [J].

MACFARLANE, GG .

PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B, 1950, 63 (370) :807-814

RICHARDSON, JM .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1950, 29 (01) :117-141