SPACE-CHARGE EFFECTS IN RESONANT TUNNELING

被引：15

作者：

PAYNE, MC

机构：

[1] Cavendish Lab, Cambridge, Engl, Cavendish Lab, Cambridge, Engl

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1987年 / 2卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/2/12/008

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

14

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页码：797 / 801

页数：5

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