CHARACTERISTICS OF A DEPLETION-TYPE IGFET

被引：14

作者：

HUANG, JST ^{[1
]}

机构：

[1] HONEYWELL INC,SOLID STATE ELECTR CTR,PLYMOUTH,MN 55441

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1973.17687

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：513 / 514

页数：2

共 5 条

[1]

COBBOLD RSC, 1964, P I ELECTR ENG, V111, P1981

[2] A SIMPLE DERIVATION FIELD-EFFECT TRANSISTOR CHARACTERISTICS [J].

MIDDLEBROOK, RD .

RICHER, I ;

MIDDLEBROOK, RD .

[4] BASIC LIMITS ON THE PROPERTIES OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

RICHER, I .

[5]

[No title captured]