PHOTOACOUSTIC MEASUREMENTS OF ION-IMPLANTED AND LASER-ANNEALED GAAS

被引：31

作者：

MCFARLANE, RA

HESS, LD

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1980年 / 36卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1063/1.91405

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：137 / 139

页数：3

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