REDUCING EFFECTIVE HEIGHT OF A SCHOTTKY-BARRIER USING LOW-ENERGY ION-IMPLANTATION

被引：116

作者：

SHANNON, JM ^{[1
]}

机构：

[1] MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1974年 / 24卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1655220

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：369 / 371

页数：3

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共 3 条

[1] SURFACE-STATE AND INTERFACE EFFECTS IN SCHOTTKY BARRIERS AT N-TYPE SILICON SURFACES [J].

CROWELL, CR ;

SHORE, HB ;

LABATE, EE .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1965, 36 (12) :3843-&

[2]

Henisch H.K., 1957, Rectifying Semi-Conductor Contacts

[3]

VANDERWEG WF, 1973, RADIAT EFF, V17, P245