LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF IRRADIATION-INDUCED DEFECTS IN LIF

被引:47
作者
WIEGAND, DA
SMOLUCHOWSKI, R
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1959年 / 116卷 / 05期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.116.1069
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:1069 / 1080
页数:12
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