LOW-TEMPERATURE GROWTH OF ALAS/GAAS HETEROSTRUCTURES BY MODULATED MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：35

作者：

BRIONES, F

GONZALEZ, L

RECIO, M

VAZQUEZ, M

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1125

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1125 / L1127

页数：3