FRACTIONATION EFFECT IN ANNEALING OF RADIATION DAMAGED SILICON

被引：2

作者：

FANG, PH

RYAN, JL

TARKO, HB

机构：

来源：

PHYSICS LETTERS A | 1970年 / A 33卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(70)90659-6

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：75 / &

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共 2 条

[1]

EKIND MM, 1967, RADIOBIOLOGY CULTURE

[2] ANNEALING OF RADIATION INDUCED DEFECTS IN SILICON [J].

FANG, PH .

PHYSICS LETTERS, 1966, 20 (04) :343-&