ZEEMAN EFFECT OF IMPURITY LEVELS IN SILICON

被引:53
作者
ZWERDLING, S
BUTTON, KJ
LAX, B
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1960年 / 118卷 / 04期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.118.975
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:975 / 986
页数:12
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