共 5 条
- [1] CHAPMAN B, 1979, IBM TECHNICAL DISCLO
- [2] CHAPMAN BN, UNPUBLISHED
- [3] HEIMAN N, 1978, IBM TECHNICAL DISCLO, V20, P12
- [4] SCHWARTZ GC, 1979, J VAC SCI TECHNOL, V16, P2
- [5] 1973, CRC HDB CHEM PHYSICS
HIGH-RATE REACTIVE ION ETCHING OF AL2O3 AND SI
被引：17
作者：
HEIMAN, N
MINKIEWICZ, V
CHAPMAN, B
机构：
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY
|
1980年
/
17卷
/
03期
关键词：
D O I：
10.1116/1.570550
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：731 / 734
页数：4
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