EFFECT OF MICROSTRUCTURE OF AN SIO2 THIN-FILM ON THE H-2-SENSING PROPERTY OF AN SNO2 SENSOR IN AN SIO2/SNO2 DOUBLE-LAYERED STRUCTURE

被引：10

作者：

FENG, CD

SHIMIZU, Y

EGASHIRA, M

机构：

来源：

DENKI KAGAKU | 1993年 / 61卷 / 07期

关键词：

SEMICONDUCTOR H-2 SENSOR; SOL-GEL METHOD; DIFFUSION PROCESS; DOUBLE-LAYERED STRUCTURE;

D O I：

10.5796/electrochemistry.61.905

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页数：2