INFLUENCE OF IONIZED IMPURITY SCATTERING ON GUNN-EFFECT CHARACTERISTIC IN GAAS IN DISPLACED MAXWELLIAN APPROXIMATION

被引：4

作者：

HEINLE, W

机构：

来源：

PHYSICS LETTERS A | 1969年 / A 29卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(69)90070-X

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

Ionized impurity intravalley scattering according to the Brooks-Herring formula is found to affect the v(E) characteristic of GaAs only slightly at room temperature for impurity concentrations below about 1016 cm-3. © 1969.

引用

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