HETEROEPITAXIAL GROWTH OF GAP ON SI SUBSTRATES BY EVAPORATION METHOD

被引：23

作者：

IGARASHI, O

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1970年 / 41卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1659394

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：3190 / &

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JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1968, 115 (07) :755-&