PREPARATION AND PROPERTIES OF ALUMINUM ANTIMONIDE

被引：31

作者：

HERCZOG, A

HABERECHT, RR

MIDDLETON, AE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2428915

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：533 / 540

页数：8

共 16 条

[1] BLUNT RF, 1954, PHYS REV, V94, P1431
[2] BURSTEIN E, 1955, PHYSICS SEMICONDUCTO, V7
[3] DUNLAP WC, 1957, INTRO SEMICONDUCTORS
[4] HERSTELLUNG UND ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN VON INP UND GAAS
FOLBERTH, OG
WEISS, H
[J]. ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE, 1955, 10 (08): : 615 - 619
[5] GOERING HA, AF336162338 CONTR
[6] HALL RN, 1957, JUL SIC RECT SEM DEV
[7] HODGKINSON RJ, 1956, J ELECT, V2, P201
[8] HUNTER LP, 1956, HANDBOOK SEMICOND ED, P9
[9] JENNY DA, 1957, JUN BIENN EL MAT C P
[10] JENNY DA, 1957, JUL IRE DEV C BOULD