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ANOMALOUS BORON PROFILES PRODUCED BY BF2 IMPLANTATION INTO SILICON
被引:18
作者
:
SIGMON, TW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT CHEM,URBANA,IL 61801
SIGMON, TW
DELINE, VR
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0
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0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT CHEM,URBANA,IL 61801
DELINE, VR
EVANS, CA
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0
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机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT CHEM,URBANA,IL 61801
EVANS, CA
KATZ, WM
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机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT CHEM,URBANA,IL 61801
KATZ, WM
机构
:
[1]
UNIV ILLINOIS,DEPT CHEM,URBANA,IL 61801
[2]
UNIV ILLINOIS,MAT RES CTR,URBANA,IL 61801
[3]
CHARLES EVANS & ASSOCIATES,SAN MATEO,CA 94402
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1980年
/ 127卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2129801
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:981 / 982
页数:2
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GIBBONS JF, 1975, PROJECTED RANGE STAT
[2]
MULLER H, 1971, ION IMPLANTATION SEM, P85
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