IMPLANTATION TEMPERATURE-MEASUREMENT USING IMPURITY LUMINESCENCE

被引：12

作者：

CHANDLER, PJ

TOWNSEND, PD

机构：

来源：

RADIATION EFFECTS LETTERS | 1979年 / 43卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1080/00337577908226444

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

This letter reports variations on a technique for estimating the temperature of the irradiated region of an insulating material during ion implantation.

引用

页码：61 / 64

页数：4