GROWTH AND CHARACTERIZATION OF HETEROEPITAXIAL GAAS ON SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR AND INSULATING SUBSTRATES

被引：1

作者：

HUMPHREYS, TP

DAS, K

PARIKH, NR

POSTHILL, JB

NEMANICH, RJ

MINER, CJ

SUKOW, CA

SUMMERVILLE, MK

ROSS, PL

MARKUNAS, RJ

机构：

来源：

III-V HETEROSTRUCTURES FOR ELECTRONIC / PHOTONIC DEVICES | 1989年 / 145卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-145-297

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页数：7