VAPOR-PHASE GROWTH OF GAXIN1-XP EPITAXIAL LAYERS

被引：9

作者：

JOYCE, BD

CLARKE, RC

BORN, PJ

FAIRHURST, KM

机构：

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1971年 / 11卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(71)90091-1

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：243 / +

页数：1

共 11 条

[1] STIMULATED EMISSION IN IN1-XGAXP [J].

BURNHAM, RD ;

HOLONYAK, N ;

KEUNE, DL ;

SCIFRES, DR ;

DAPKUS, PD .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1970, 17 (10) :430-&

[2] PREPARATION OF HIGH PURITY EPITAXIAL INF [J].

CLARKE, RC ;

JOYCE, BD ;

WILGOSS, WHE .

SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1970, 8 (14) :1125-&

[3] DETERMINING COMPOSITION OF INP-GAP ALLOYS USING VEGARDS LAW [J].

HERITAGE, RJ ;

PORTEOUS, P ;

SHEPPARD, BJ .

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1970, 5 (08) :709-&

[4]

HILSUM C, 1968, 9 P INT C PHYS SEM, P1214

[5]

HURLE DTJ, UNPUBLISHED WORK

[6]

JOEL G, 1968, FTZA18T RES I CENT D

[7]

JOYCE BD, 1970, INT S GALLIUM ARSENI, P57

[8]

Mabbitt A. W., 1970, Journal of Materials Science, V5, P1043, DOI 10.1007/BF02403275

[9]

REED TB, 1969, SOLID STATE RES REPT, P21

[10]

RODOT H, 1969, CR ACAD SCI B PHYS, V269, P381

← 1 2 →