SCHOTTKY-BARRIER ON N-GAAS FORMED BY AMORPHOUS TUNGSTEN SILICIDE

被引：1

作者：

SMID, V

KOZAR, S

MARES, JJ

KRISTOFIK, J

ZEMEK, J

STOURAC, L

VLASEK, V

机构：

来源：

JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS | 1987年 / 90卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/S0022-3093(87)80442-8

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

收藏

页码：347 / 350

页数：4

相关论文

共 4 条

[1]

[Anonymous], 1957, RECTIFYING SEMICONDU

[2] CAPACITANCE VOLTAGE CHARACTERIZATION OF SILICIDE GAAS SCHOTTKY CONTACTS [J].

JACKSON, TN ;

DEGELORMO, JF .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1985, 3 (06) :1676-1679

[3]

Mott N. F., 1974, METAL INSULATOR TRAN

[4]

Rhoderick E.H., 1978, METAL SEMICONDUCTORS