THERMOPOWER AND TRANSVERSE NERNST-ETTINGSHAUSEN EFFECT IN SEMICONDUCTORS IN A STRONG ELECTRIC-FIELD

被引：11

作者：

BABAEV, MM

GASYMOV, TM

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS | 1977年 / 84卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssb.2220840210

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

收藏

页码：473 / 483

页数：11

相关论文

共 4 条

[1]

BASS FG, 1967, ZH EKSP TEOR FIZ, V52, P175

[2]

BASS FG, 1967, FIZ TVERD TELA, V9, P3479

[3]

GUREVICH LE, 1967, FIZ TVERD TELA+, V9, P932

[4]

GUREVICH LE, 1967, FIZ TVERD TELA, V9, P105