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LOW-CARRIER-CONCENTRATION LIQUID EPITAXIAL PB 1-X SNX TE
被引:18
作者
:
LONGO, JT
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LONGO, JT
GERTNER, ER
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GERTNER, ER
JOSEPH, AS
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JOSEPH, AS
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1971年
/ 19卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1653883
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:202 / &
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共 3 条
[1]
Melngailis I., 1970, SEMICOND SEMIMETALS, V5, P111, DOI [10.1016/S0080-8784(08)62815-X, DOI 10.1016/S0080-8784(08)62815-X]
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WAGNER JW, 1969, T METALL SOC AIME, V245, P461
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GROWTH AND CHARACTERIZATION OF LEAD TELLURIDE EPITAXIAL LAYERS
WAGNER, JW
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WAGNER, JW
THOMPSON, AG
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THOMPSON, AG
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1970,
117
(07)
: 936
-
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共 3 条
[1]
Melngailis I., 1970, SEMICOND SEMIMETALS, V5, P111, DOI [10.1016/S0080-8784(08)62815-X, DOI 10.1016/S0080-8784(08)62815-X]
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THOMPSON, AG
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[J].
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1970,
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