ELECTRON DAMAGE COEFFICIENTS IN P-TYPE SILICON

被引：3

作者：

BARRETT, MJ

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1967年 / NS14卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1967.4324779

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：82 / &

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