DIFFERENTIAL PHOTO EFFECTS IN GALLIUM ARSENIDE-METAL JUNCTIONS

被引:1
作者
VIEHMANN, W
机构
来源
INFRARED PHYSICS | 1969年 / 9卷 / 01期
关键词
D O I
10.1016/0020-0891(69)90004-9
中图分类号
O43 [光学];
学科分类号
070207 ; 0803 ;
摘要
引用
收藏
页码:21 / &
相关论文
共 5 条
[1]  
AGUSTA B, 1965, J APPL PHYS, V36, P205
[2]   PHOTOVOLTAIC RESPONSE OF NGE-NSI HETERODIODES [J].
DONNELLY, JP ;
MILNES, AG .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1966, 9 (02) :174-&
[3]  
VANOPDORP, 1967, SOLID ST ELECTRON, V10, P401
[4]  
VANOPDORP, 1967, SOLID ST ELECTRON, V10, P955
[5]   OPTICAL PHENOMENA IN GE-GAP HETEROJUNCTIONS [J].
VANRUYVE.LJ ;
PAPENHUIJZEN, JM ;
VERHOEVEN, AC .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1965, 8 (08) :631-+