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MICROWAVE INXGA1-XASYP1-Y-INP FET
被引:7
作者
:
MORKOC, H
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MORKOC, H
ANDREWS, JT
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ANDREWS, JT
HOUNG, YM
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HOUNG, YM
SANKARAN, R
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SANKARAN, R
BANDY, SG
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BANDY, SG
ANTYPAS, GA
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ANTYPAS, GA
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1978年
/ 14卷
/ 14期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19780300
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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共 5 条
[1]
ROOM-TEMPERATURE CW OPERATION OF GALNASP-INP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE DIODE-LASERS EMITTING AT 1.1 MU-M
[J].
HSIEH, JJ
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MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
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HSIEH, JJ
;
ROSSI, JA
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DONNELLY, JP
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MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
DONNELLY, JP
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
28
(12)
:709
-711
[2]
HURWITZ CE, 1978, TOPICAL M INTEGRATED
[3]
VELOCITY-FIELD CHARACTERISTICS OF GA1-XINXP1-YASY QUATERNARY ALLOYS
[J].
LITTLEJOHN, MA
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N CAROLINA STATE UNIV,DEPT ELECT ENGN,RALEIGH,NC 27607
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LITTLEJOHN, MA
;
HAUSER, JR
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GLISSON, TH
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GLISSON, TH
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1977,
30
(05)
:242
-244
[4]
EFFICIENT LATTICE-MATCHED DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LEDS AT 1.1 MU-M FROM GA-XIN-1-XAS-YP-1-Y
[J].
PEARSALL, TP
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BELL TEL LABS INC,HOLMDEL,NJ 07733
PEARSALL, TP
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MILLER, BI
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
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:499
-501
[5]
WRIGHT PD, 1978, 1 INF TECHN REP
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[1]
ROOM-TEMPERATURE CW OPERATION OF GALNASP-INP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE DIODE-LASERS EMITTING AT 1.1 MU-M
[J].
HSIEH, JJ
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DONNELLY, JP
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DONNELLY, JP
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
28
(12)
:709
-711
[2]
HURWITZ CE, 1978, TOPICAL M INTEGRATED
[3]
VELOCITY-FIELD CHARACTERISTICS OF GA1-XINXP1-YASY QUATERNARY ALLOYS
[J].
LITTLEJOHN, MA
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N CAROLINA STATE UNIV,DEPT ELECT ENGN,RALEIGH,NC 27607
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1977,
30
(05)
:242
-244
[4]
EFFICIENT LATTICE-MATCHED DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LEDS AT 1.1 MU-M FROM GA-XIN-1-XAS-YP-1-Y
[J].
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BACHMANN, KJ
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
28
(09)
:499
-501
[5]
WRIGHT PD, 1978, 1 INF TECHN REP
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