THERMALLY INDUCED DISLOCATIONS IN SILICON

被引：12

作者：

RAICHOUDHURY, P

TAKEI, WJ

机构：

[1] Westinghouse Research Laboratories, Pittsburgh

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1969年 / 40卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1657328

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

[No abstract available]

引用

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页码：4980 / +

页数：1

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共 3 条

[1]

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