REGROWTH OF SILICON THROUGH A LOW MELTING ZONE OF SILICON-GOLD EUTECTIC

被引：4

作者：

CARMAN, JN

STELLO, PE

BITTMANN, CA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1721681

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：543 / 543

页数：1

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共 5 条

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