CURRENT CONTROLLED NEGATIVE-RESISTANCE AND MEMORY SWITCHING EFFECT OF METAL BISMUTH OXIDE-METAL THIN-FILMS

被引：6

作者：

KOMORITA, K

SUZUKI, M

机构：

[1] SAGA UNIV,FAC SCI & ENGN,DEPT ELECT ENGN,SAGA 840,JAPAN

[2] SAGA UNIV,FAC SCI & ENGN,DEPT PHYS,SAGA 840,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1975年 / 14卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.14.913

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：913 / 914

页数：2

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共 3 条

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