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POST-GROWTH DIFFUSION OF SI IN DELTA-DOPED GAAS GROWN BY MBE
被引：41
作者：
BEALL, RB
CLEGG, JB
CASTAGNE, J
HARRIS, JJ
MURRAY, R
NEWMAN, RC
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/12/021
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：1171 / 1175
页数：5
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