INFLUENCE OF CONTACTS ON MEASUREMENT OF PERMITTIVITY OF SILICON SINGLE CRYSTALS

被引：3

作者：

VANOVERSTRAETEN, R

CARDIJN, E

VANDEWIE.F

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1970年 / 41卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1659291

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2732 / +

页数：1

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共 2 条

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