REDUCTION OF ALPHA-PARTICLE SENSITIVITY IN DYNAMIC SEMICONDUCTOR MEMORIES - (16K D-RAMS) BY NEUTRON-IRRADIATION

被引：3

作者：

THOMPSON, CE ^{[1
]}

MEESE, JM ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MISSOURI,RES REACTOR,COLUMBIA,MO 65211

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1981.4335660

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：3987 / 3993

页数：7

共 10 条

ADAMS, JR ;

SOKEL, RJ .

[2]

CORBETT JW, 1980, OCT ANN S EL SOC HOL

[3]

HELLER LG, 1976, J SOLID STATE CIRCUI, V11, P506

[4]

HERSHBERGER S, 1978, ELECTRON NEWS, V24, P1

[5]

JAMES WD, 1981, INT C NAA TORONTO

[6]

MAY TC, 1978, 1978 P INT REL PHYS

[7]

MAY TC, 1979, IEEE T ELECTRON DEV, V26, P1

[8]

SIGMON TW, SOLID STATE ELECTRON, V16

YANEY, DS ;

NELSON, JT ;

VANSKIKE, LL .

[10] EFFECT OF COSMIC-RAYS ON COMPUTER MEMORIES [J].

ZIEGLER, JF ;

LANFORD, WA .