DEPENDENCE OF TRANSITION-METAL IMPURITY LEVELS ON HOST COMPOSITION IN III-V SEMICONDUCTORS

被引：15

作者：

HAMERA, M

WALUKIEWICZ, W

NOLTE, DD

HALLER, EE

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY LAWRENCE BERKELEY LAB,CTR ADV MAT,BERKELEY,CA 94720

[2] UNIV CALIF BERKELEY LAWRENCE BERKELEY LAB,DIV MAT & CHEM SCI,BERKELEY,CA 94720

[3] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT MAT SCI & MINERAL ENGN,BERKELEY,CA 94720

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 39卷 / 14期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.39.10114

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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