INJECTION-COUPLED MEMORY - HIGH-DENSITY STATIC BIPOLAR MEMORY

被引：18

作者：

WIEDMANN, SK ^{[1
]}

机构：

[1] IBM LAB,BOEBLINGEN,WEST GERMANY

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1973.1050413

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：332 / 336

页数：5

共 14 条

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