HOT ELECTRONS AND CARRIER MULTIPLICATION IN SILICON AT LOW TEMPERATURE

被引：36

作者：

KAISER, W

WHEATLEY, GH

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.3.334

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：334 / 336

页数：3

共 13 条

[1] LATTICE MOBILITY OF HOT CARRIERS [J].

CONWELL, E .

CONWELL, EM .

PHYSICAL REVIEW, 1953, 90 (05) :769-772

[3] NUCLEAR POLARIZATION VIA HOT CONDUCTION ELECTRONS [J].

FEHER, G .

[4]

GUNN JB, 1957, PROGR SEMICONDUCTORS, V2

[5]

HERRING C, COMMUNICATION

[6] HOT AND WARM ELECTRONS - A REVIEW [J].

KOENIG, SH .

KOENIG, SH .

PHYSICAL REVIEW, 1958, 110 (04) :988-990

KOENIG, SH ;

GUNTHERMOHR, GR .

[9]

LABERT, 1959, PHYS REV LETT, V2, P394

[10]

MCSKIMIN, 1951, PHYS REV, V83, P1080