METHOD FOR MEASUREMENT OF TURN-ON CONDITION IN MOS TRANSISTORS

被引：4

作者：

WALLINGA, H

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1971年 / 14卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(71)90020-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1093 / &

相关论文

共 4 条

[1]

CHEROFF G, 1969, IEEE J SOLID STATE C, VSC 4, P267

[2]

FROHMANBENTCHKO.D, 1969, IEEE T, VED16, P108

[3]

GROVE AS, 1967, PHYS TECHNOL S, P317

[4]

VANNIELEN JA, 1967, PHILIPS RES REP, V22, P55