EFFECT OF CHARGE TRAPPING ON SPECTROMETER PERFORMANCE OF P-I-N SEMICONDUCTOR DETECTORS

被引：32

作者：

MCMATH, TA

MARTINI, M

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1970年 / 86卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0029-554X(70)90707-X

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：245 / +

页数：1

共 23 条

AKUTAGAWA, W ;

ZANIO, K .

[2]

ANTONOV AS, 1966, FIZ TVERD TELA+, V8, P1061

[3]

BLAIR JS, UNPUBLISHED

[4]

CHARTRAND MG, 1967, AECL2764 REP

DAY, RB ;

DEARNALEY, G ;

PALMS, JM .

KUHN, A .

[7]

KUHN A, 1967, AECL2658 REP

[8]

MAKOVSKI LL, 1970, SOV PHYS SEMICOND+, V3, P928

[9]

MAKOVSKII LL, 1968, SOV PHYS SEMICOND+, V1, P1025

[10] PERFORMANCE OF SI(LI) DETECTORS OVER A WIDE TEMPERATURE RANGE [J].

MARTINI, M ;

MCMATH, TA .

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS, 1969, 76 (01) :1-+