DIFFERENTIAL CAPACITANCE OF N-TYPE AND P-TYPE GALLIUM-ARSENIDE ELECTRODE

被引：65

作者：

LAFLERE, WH ^{[1
]}

CARDON, F ^{[1
]}

GOMES, WP ^{[1
]}

机构：

[1] RIJKS UNIV GHENT,LAB KRISTALLOG STUDIE VASTE STOF,KRIJGSLAAN 271,B 9000 GHENT,BELGIUM

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(74)90136-8

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：541 / 552

页数：12

共 23 条

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