A FLOW MODEL FOR AUTODOPING IN VLSI SUBSTRATES

被引：7

作者：

SRINIVASAN, GR

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1980年 / 127卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2129397

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：2305 / 2306

页数：2

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共 3 条

[1]

CHOLLEY JF, COMMUNICATION

[2]

SRINIVASAN GR, UNPUBLISHED

[3]

SRINIVASAN GR, 1980, IEEE T ELECTRON AUG