TRANSITION TO SEMICONDUCTOR STATE IN THIN LAYERS OF BISMUTH

被引：20

作者：

COMBET, HA

LETRAON, JY

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(68)90006-9

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：85 / &

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共 7 条

[1]

GOGADZE CA, 1965, SOVIET PHYSICS SOLID, V7, P345

[2]

IOGANSEN LV, 1966, SOV PHYS JETP-USSR, V23, P470

[3]

LUTSKII VN, 1966, JETP LETT-USSR, V4, P179

[4]

LUTSKII VN, 1965, JETP LETT-USSR, V2, P245

[5]

OGRIN YF, 1966, JETP LETT-USSR, V3, P71

[6]

SANDOMIRSKII VB, 1967, SOV PHYS JETP-USSR, V25, P101

[7]

TAVGER BA, 1963, SOV PHYS-SOL STATE, V5, P469