REACTIVE DEPOSITION OF CUBIC SILICON CARBIDE

被引：11

作者：

LEARN, AJ

HAQ, KE

机构：

[1] NASA Electronics Research Center, Cambridge

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1969年 / 40卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1657082

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

[No abstract available]

引用

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页码：430 / &

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APPLIED PHYSICS LETTERS, 1967, 11 (01) :12-+