SILICON CARBIDE OF 594 LAYERS

[1] ON THE ANOMALOUS STRUCTURES OF SILICON CARBIDE [J]. JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 1949, 4 (4-6) : 352 - 353

[2] EINDIMENSIONALE FEHLORDNUNG IN KRISTALLEN UND IHR EINFLUSS AUF DIE RONTGENINTERFERENZEN .3. VERGLEICH DER BERECHNUNGEN MIT EXPERIMENTELLEN ERGEBNISSEN [J]. ACTA CRYSTALLOGRAPHICA, 1949, 2 (05): : 298 - +

[3] ZHUDANOV GS, 1949, J EXP THEOR PHYS, V17, P3

[1] ON THE ANOMALOUS STRUCTURES OF SILICON CARBIDE [J]. JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 1949, 4 (4-6) : 352 - 353

[2] EINDIMENSIONALE FEHLORDNUNG IN KRISTALLEN UND IHR EINFLUSS AUF DIE RONTGENINTERFERENZEN .3. VERGLEICH DER BERECHNUNGEN MIT EXPERIMENTELLEN ERGEBNISSEN [J]. ACTA CRYSTALLOGRAPHICA, 1949, 2 (05): : 298 - +

[3] ZHUDANOV GS, 1949, J EXP THEOR PHYS, V17, P3