ELECTRON-TRANSPORT IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON SCHOTTKY BARRIERS AND DEEP LOCALIZED STATES KINETICS

被引：4

作者：

DELEONIBUS, S ^{[1
]}

JOUSSE, D ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV ESTADUAL CAMPINAS,ENERGIA INST FIS GRP,CAMPINAS 13100,SP,BRAZIL

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1981年 / 42卷 / NC4期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:19814103

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页码：487 / 490

页数：4

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