ELECTRONS AND HOLES DRIFT VELOCITY IN SILICON AT VERY LOW TEMPERATURE

被引：9

作者：

CECCHI, R

LORIA, A

MARTINI, M

OTTAVIANI, G

机构：

来源：

SOLID STATE COMMUNICATIONS | 1968年 / 6卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(68)90573-5

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

收藏

页码：727 / +

页数：1

相关论文

共 4 条

[1] QUARANTA AA, 1967, SOLID STATE COMMUN, V5, P747
[2] QUARANTA AA, 1965, PHYS LETT, V17, P102
[3] QUARANTA AA, 1968, SOLIDST ELECTRON, V685
[4] SAKAI E, AECL2762 REP