INTERFACE STATES OF MOS DIODES WITH THIN SIO2 FILMS

被引：3

作者：

KATSUBE, T ^{[1
]}

ADACHI, Y ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TOKYO,INST IND SCI,MINATO,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1973年 / 12卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.12.320

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：320 / 321

页数：2

相关论文

共 2 条

[1] METAL-DEPENDENT INTERFACE STATES IN THIN MOS STRUCTURES
KAR, S
DAHLKE, WE
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1971, 18 (09) : 401 - +
[2] INTERFACE STATES IN MOS STRUCTURES WITH 20-40 A THICK SIO2 FILMS ON NONDEGENERATE SI
KAR, S
DAHLKE, WE
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1972, 15 (02) : 221 - +