THEORETICAL-ANALYSIS OF QUANTUM PHOTOELECTRIC YIELD IN SCHOTTKY DIODES

被引：59

作者：

LAVAGNA, M ^{[1
]}

PIQUE, JP ^{[1
]}

MARFAING, Y ^{[1
]}

机构：

[1] CNRS,PHYS SOLIDES LAB,F-92190 BELLEVUE,FRANCE

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1977年 / 20卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(77)90190-3

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：235 / 240

页数：6

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共 5 条

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