IMPROVED RECOMBINATION LIFETIME OF PHOTOEXCITED CARRIERS IN GAAS SINGLE QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURES CONFINED BY GAAS/ALAS SHORT-PERIOD SUPERLATTICES

被引：24

作者：

FUJIWARA, K

NAKAMURA, A

TOKUDA, Y

NAKAYAMA, T

HIRAI, M

机构：

[1] NAGOYA UNIV,FAC ENGN,DEPT APPL PHYS,NAGOYA,AICHI 464,JAPAN

[2] TOHOKU UNIV,FAC ENGN,DEPT APPL PHYS,SENDAI,MIYAGI 980,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.97411

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1193 / 1195

页数：3