MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF THE II-V SEMICONDUCTOR COMPOUND ZN3AS2

被引：30

作者：

CHELLURI, B

CHANG, TY

OURMAZD, A

DAYEM, AH

ZYSKIND, JL

SRIVASTAVA, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.97261

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1665 / 1667

页数：3

共 6 条

[1] THERMOREFLECTANCE OF CD3-XZNXAS2 ALLOYS
AUBIN, MJ
CLOUTIER, JP
[J]. CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS, 1975, 53 (17) : 1642 - 1645
[2] ELECTRON-MOBILITY IN CD3-XZNXAS2 ALLOYS
CARON, LG
AUBIN, MJ
JAYGERIN, JP
[J]. SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1977, 23 (07) : 493 - 498
[3] Izotov A. D., 1978, Soviet Physics - Crystallography, V23, P429
[4] ENERGY-BAND STRUCTURES OF CD3AS2 AND ZN3AS2
LINCHUNG, PJ
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1969, 188 (03): : 1272 - &
[5] OPTICAL BAND-GAP OF ZN3AS2
MISIEWICZ, J
PAWLIKOWSKI, JM
[J]. SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1979, 32 (08) : 687 - 690
[6] WAGNER RJ, 1971, J PHYS CHEM SOLID S1, V32, P471