SHORT PULSE TECHNIQUES FOR ESTIMATING TEMPERATURE AND IMPURITY CONCENTRATION OF ACTIVE LAYER OF A GUNN DIODE

被引：3

作者：

FENTEM, PJ ^{[1
]}

NAG, BR ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV COLL N WALES,SCH ELECTR ENGN SCI,BANGOR,WALES

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(73)90086-5

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1297 / 1299

页数：3

共 3 条

[1] DESIGN OF GUNN DEVICES FOR CW OPERATION [J].

BECKER, R ;

BOSCH, BG .

[2] HEAT FLOW IN N++-N-N+ EPITAXIAL GAAS BULK EFFECT DEVICES [J].

KNIGHT, S .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS, 1967, 55 (01) :112-&

RUCH, JG ;

FAWCETT, W .