GAAS N+-P--N+ BALLISTIC STRUCTURE

被引：20

作者：

SHUR, MS ^{[1
]}

EASTMAN, LF ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1980年 / 16卷 / 13期

关键词：

Compendex;

D O I：

10.1049/el:19800365

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE

引用

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页码：522 / 523

页数：2

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共 3 条

[1]

EASTMAN L, BALLISTIC ELECTRON M, P524

[2] BALLISTIC TRANSPORT IN SEMICONDUCTOR AT LOW-TEMPERATURES FOR LOW-POWER HIGH-SPEED LOGIC [J].

SHUR, MS ;

EASTMAN, LF .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1979, 26 (11) :1677-1683

[3]

SHUR MS, 1976, AUG BIENN CORN C MIC