THEORY OF TRAP FILLING IN SCHOTTKY DIODES

被引:8
作者
NORAS, JM
机构
来源
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS | 1981年 / 14卷 / 17期
关键词
D O I
10.1088/0022-3719/14/17/007
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
引用
收藏
页码:2341 / 2349
页数:9
相关论文
共 4 条
[1]   THERMODYNAMICAL ANALYSIS OF OPTIMAL RECOMBINATION CENTERS IN THYRISTORS [J].
ENGSTROM, O ;
ALM, A .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1978, 21 (11-1) :1571-1576
[2]   DETAILED ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF THE DEEP CR ACCEPTOR IN GAAS [J].
MARTIN, GM ;
MITONNEAU, A ;
PONS, D ;
MIRCEA, A ;
WOODARD, DW .
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS, 1980, 13 (20) :3855-3882
[3]  
Rhoderick E.H., 1978, METAL SEMICONDUCTORS